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Consume Grade Phototransistor Optocoupler OR-3H7-EN-V13

Verbrauchstauglicher Fototransistor-Optokoppler OR-3H7-EN-V13

Das Gerät der OR-3H7-4-Serie enthält vier Infrarot-LEDs und vier Fototransistordetektoren. Sie sind in einem 16-poligen SOP gekapselt, frei von Halogenen und Sb2O3

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Produktbeschreibung

Optokoppler 3H7

Funktionen

(1) 4N2X-Serie: 4N25, 4N26, 4N27, 4N28; 4N3X-Serie: 4N35, 4N36, 4N37, 4N38

Hohe Isolationsspannung zwischen Eingang und Ausgang (Viso=5000 V rms)
Kriechstrecke>7,62 mm
Betriebstemperatur bis +115°C
Kompaktes Dual-In-Line-Paket
ESD-Pass HBM 8000V/MM 2000V
Sicherheitszulassung

UL-zugelassen (Nr. E323844)

VDE-geprüft (Nr. 40029733)

CQC genehmigt (Nr. CQC19001231480)

In Übereinstimmung mit den RoHS- und REACH-Standards.
MSL-Klasse Ⅰ

Anleitung

Die Geräteserien 4N2X, 4N3X bestehen jeweils aus einer Infrarot-Emissionsdiode

sind optisch mit einem Fototransistor gekoppelt. Sie sind in einem 6-Pin-DIP-Gehäuse verpackt und mit großem Anschlussabstand und SMD-Option erhältlich.

Anwendungsbereich

Netzteilregler
Digitale Logikeingänge
Mikroprozessoreingänge

Funktionsdiagramm

Verbrauchstauglicher Fototransistor-Optokoppler OR-3H7-EN-V13

Maximaler absoluter Nennwert (Normaltemperatur=25℃)

Parameter		Symbol	Nennwert	Einheit
Eingabe	Vorwärtsstrom	WENN	60	mA
	Sperrschichttemperatur	TJ	125	℃
	Sperrspannung	VR	6	V
	Verlustleistung (T A = 25°C) Derating-Faktor (über 100°C)	PD	100	mW
	Verlustleistung (T A = 25°C) Derating-Faktor (über 100°C)	PD	3,8	mW/°C
Ausgabe	Kollektor-Emitter-Spannung	VCEO	80	V
	Kollektor-Basis-Spannung	VCBO	80
	Emitter-Kollektor-Spannung	VECO	7
	Emitter-Basis-Spannung	VEBO	7
	Verlustleistung (T A = 25°C) Derating-Faktor (über 100°C)	PC	150	mW
	Verlustleistung (T A = 25°C) Derating-Faktor (über 100°C)	PC	9,0	mW/°C
Gesamtverbrauchsleistung		Ptot	200	mW
*1 Isolationsspannung		Viso	5000	Vrms
Arbeitstemperatur		Topr	-55 bis + 115	℃
Lagerstättentemperatur		TSTG	-55 bis + 150
*2 Löttemperatur		TSOL	260

*1. AC-Test, 1 Minute, Luftfeuchtigkeit = 40–60 % Isolationstestmethode wie folgt:

Schließen Sie beide Anschlüsse des Optokopplers kurz.
Kein Strom beim Testen der Isolationsspannung.
Hinzufügen einer Sinuswellenspannung beim Testen

*2. Die Lötzeit beträgt 10 Sekunden.

Optoelektronische Eigenschaften

Parameter			Symbol	Min.	Typ.*	Max.	Einheit	Zustand
Eingabe	Durchlassspannung		VF	---	1,2	1,5	V	WENN=10mA
	Rückstrom		IR	---	---	10	μA	VR=6V
	Kollektorkapazität		Cin	---	30	---	pF	V=0, f=1MHz
Ausgabe	Kollektor-Basis-Dunkelstrom		ICBO	---	---	20	k.A.	VCB=10V
	Kollektor-Emitter-Strom	4N2X	ICEO	---	---	50	k.A.	VCE=10V, IF=0mA
	Kollektor-Emitter-Strom	4N3X	ICEO	---	---	50	k.A.	VCE= 60 V, IF=0 mA
	Kollektor-Emitter-Dämpfungsspannung		BVCEO	80	---	---	V	IC=1mA
	Kollektor-Basis-Durchbruchspannung		BVCBO	80				IC=0,1mA
	Emitter-Kollektor-Dämpfungsspannung		BVECO	7	---	---	V	IE=0,1mA
	Emitter-Basis-Durchbruchspannung		BVEBO	7				IE=0,1mA
Transformierende Eigenschaften	Aktuelles Übertragungsverhältnis	4N35, 4N36,4N37	CTR	100	---	---	%	IF=10mA VCE=10V
		4N25, 4N26,4N38		20	---	---
		4N27, 4N28		10	---	---
	Kollektor und Emitter Sättigungsspannung	4N25, 4N26,4N27, 4N28	VCE(Sa)	---	---	0,5	V	IF=50mA IC=2mA
		4N35, 4N36,4N37		---	---	0,3		IF=10mA, IC=0,5mA
		4N38		---	---	1,0		IF=20mA, IC=4mA
	Isolationswiderstand		Riso	1011	---	---	Ω	DC500V 40~60 % r.F.
	Floating-Kapazität		Vgl.	---	0,2	---	pF	V=0, f=1MHz
	Reaktionszeit		tr	---	3	10	μs	VCC=10 V, IC=10 mA RL=100 Ω
	Abstiegszeit		tf	---	6	10	μs	VCC=10 V, IC=10 mA RL=100 Ω

Aktuelles Umwandlungsverhältnis = IC / IF × 100 %

Bestellinformationen

Teilenummer

OR-4NXXU-Y-Z

Hinweis

4NXX = Teilenummer, 4N25,4N26,4N27,4N28,4N35,4N36,4N37 oder 4N38.

U = Lead-Formularoption (S, M oder Keine)

Y = Band- und Spulenoption (TA, TA1 oder keine).

Z = „V“-Code für VDE-Sicherheit (Diese Option ist nicht erforderlich).

* VDE Code wählbar.

Option	Beschreibung	Verpackungsmenge
Keine	Standard DIP-6	66 Einheiten pro Tube
M	Breiter Leitungsbogen (0,4 Zoll Abstand)	66 Einheiten pro Tube
S(TA)	SMD-Leitungsform (niedriges Profil) + TA-Band- und Rollenoption	1000 Einheiten pro Rolle
S(TA1)	SMD-Leitungsform (niedriges Profil) + TA1-Band- und Rollenoption	1000 Einheiten pro Rolle

Benennungsregel

1. Hersteller: ORIENT.

2. Teilenummer: 4N25,4N26,4N27,4N28,4N35,4N36,4N37 oder 4N38.

Jahrescode : „21“ bedeutet „2021“ und so weiter.
Wochencode : 01 bedeutet die erste Woche, 02 bedeutet die zweite Woche und so weiter.
VDE-Code . (Optional)
Anode.

Außenmaß

OR-4NXX

Fototransistor-Optokoppler mit Verbrauchsqualität OR-3H7-EN-V13

OR-4NXXM

Fototransistor-Optokoppler mit Verbrauchsqualität OR-3H7-EN-V13

OR-4NXXS

Verbrauchstauglicher Fototransistor-Optokoppler OR-3H7-EN-V13

Empfohlene Fußabdruckmuster (Montagepad)

Einheit: mm

Taping-Maße

OR-4NXXS-TA

Verbrauchstauglicher Fototransistor-Optokoppler OR-3H7-EN-V13

OR-4NXXS-TA1

Verbrauchstauglicher Fototransistor-Optokoppler OR-3H7-EN-V13

Beschreibung	Symbol	Abmessung in mm (Zoll)
Band breit	W	16±0,3（0,63）
Teilung der Kettenradlöcher	P0	4±0,1（0,15）
Fachabstand	F	7,5 ± 0,1 (0,295)
Fachabstand	P2	2±0,1（0,079）
Abstand von Fach zu Fach	P1	12±0,1（0,472）

Pakettyp	TA/TA1
Mengen (Stück)	1000

Paketabmessungen

DIP/M-Typ

Verpackungsinformationen
Verpackungstyp	Rohr
Menge pro Tube	66 Stück
Kleine Box (Innen) Abmessung	52512860mm
Große Box (äußere) Abmessung	545290335mm
Der Betrag pro Innenkarton	3.300 Stück
Der Betrag pro Umkarton	33.000 Stück

SOP-Typ

Verpackungsinformationen
Verpackungstyp	Rollentyp
Bandbreite	16mm
Menge pro Rolle	1.000 Stück
Kleine Box (innen) Abmessung	34534558,5mm
Große Box (äußere) Abmessung	620x360x360mm
Maximale Menge pro kleiner Karton	2.000 Stück
Maximale Menge pro großer Karton	20.000 Stück

Muster eines Verpackungsetiketts

Verbrauchstauglicher Fototransistor-Optokoppler OR-3H7-EN-V13

Hinweis :

Materialcode: Produkt-ID.
P/N: Inhalt mit „Bestellinformationen“ in der Spezifikation.
Chargennummer: Produktdaten.
D/C: Produktwochen.
Menge: Verpackungsmenge.

Zuverlässigkeitstest

Temperaturprofil des Lötens

(1) IR-Reflow-Löten (JEDEC-STD-020C-konform)

Ein einmaliges Reflow-Löten wird innerhalb der unten gezeigten Temperatur- und Zeitprofilbedingungen empfohlen. Nicht mehr als dreimal löten.

Profilelement	Bedingungen
Vorheizen Temperatur Min (T Smin) Maximale Temperatur (T Smax) – Zeit (min. bis max.) (ts)	150˚C 200˚C 90±30 Sek.
Lötzone – Temperatur (TL) – Zeit (t L )	217˚C 60 Sek.
Spitzentemperatur	260˚C
Höchsttemperaturzeit	20 Sek.
Hochlaufrate	3˚C/Sek. max.
Abstiegsrate von der Spitzentemperatur	3~6˚C/Sek.
Reflow-Zeiten	≤3