Darlington-Optokoppler OR-4NXX_OR-TIL113(Darlington)-EN-V3

Die Geräteserien TIL113 und 4NXX bestehen jeweils aus einer Infrarot-emittierenden Diode, die optisch an einen Darlington-Detektor gekoppelt ist. Sie sind in einem 6-poligen DIP-Gehäuse untergebracht und mit großem Anschlussabstand und als SMD-Option erhältlich.

Produktbeschreibung

Darlington-Optokoppler

 Darlington-Optokoppler OR-4NXX_OR-TIL113(Darlington)-EN-V3

Merkmale

(1)  4NXX  Serie:  4N29,  4N30,  4N31,  4N32,  4N33 36558} TIL113  Serie :  TIL113.

(2)  Hohe  Isolation  Spannung  zwischen  Eingang  und  Ausgang  (Viso=5000  V  rms)

(3)  Kriechstrecke  Abstand  >7,62  mm

(4)  Betriebstemperatur   bis  auf  +115°C

(5) Kompaktes  Dual-in-Line- Paket

(6)  Sicherheit  Genehmigung

UL-zugelassen (Nr. E323844)  

VDE-geprüft (Nr. 40029733)

CQC genehmigt  (Nr. CQC19001231480  )

(7)  In  Übereinstimmung  mit  RoHS,  REACH  -Standards.

(8)  MSL  Klasse Ⅰ

 

Anleitung

Die Geräteserien TIL113 und 4NXX bestehen jeweils aus einer Infrarot-emittierenden Diode, die optisch an einen Darlington-Detektor gekoppelt ist. Sie sind in verpackt ein 6-poliges DIP-Gehäuse und mit großem Anschlussabstand und SMD-Option erhältlich.

Anwendungsbereich

  1. Logikschaltungen mit geringem Stromverbrauch

  2. Telekommunikationsausrüstung

  3. Tragbare Elektronik

  4. Schnittstellenkopplungssysteme unterschiedlicher Potentiale und Impedanzen

 

Maximaler absoluter Nennwert (Normaltemperatur=25℃)

Parameter

Symbol

Nennwert

Einheit

Eingabe

Vorwärtsstrom

WENN

60

mA

Sperrschichttemperatur

TJ

125

Sperrspannung

VR

6

V

Verlustleistung (TA = 25 °C) Derating-Faktor (über 100 °C)

PD

120

mW

3,8

mW/°C

Ausgabe

Kollektor-Emitter-Spannung

VCEO

80

V

Kollektor-Basis-Spannung

VCBO

80

Emitter-Kollektor-Spannung

VECO

7

Emitter-Basis-Spannung

VEBO

7

Verlustleistung (T A = 25 °C) Derating-Faktor (über 100 °C)

PC

150

mW

6,5

mW/°C

Gesamtleistungsverbrauch

Ptot

200

mW

*1 Isolationsspannung

Viso

5000

Vrms

Arbeitstemperatur

Topr

-55 bis + 115

Lagerstättentemperatur

TSTG

-55 bis + 150

*2 Löttemperatur

TSOL

260

*1. AC-Test, 1 Minute, Luftfeuchtigkeit = 40–60 % Isolationstestmethode wie folgt:

    1. Schließen Sie beide Anschlüsse des Optokopplers kurz.

    2. Strom beim Prüfen der Isolationsspannung.

    3. Hinzufügen einer Sinuswellenspannung beim Testen

*2. Die Lötzeit beträgt 10 Sekunden.

Optoelektronische Eigenschaften

Parameter

Symbol

Min.

Typ.*

Max.

Einheit

Zustand

Eingabe

Durchlassspannung

VF

---

1,2

1,5

V

WENN=10mA

Rückstrom

IR

---

---

10

μA

VR=6V

Kollektorkapazität

Cin

---

50

---

pF

V=0, f=1MHz

Ausgabe

Kollektorbasis-Dunkelstrom

ICBO

---

---

20

k. A.

VCB=10V

Kollektor-Emitter-Strom

ICEO

---

---

100

n. A.

VCE=10V, IF=0mA

Kollektor-Emitter-Dämpfungsspannung

BVCEO

55

---

---

V

IC=1mA

Kollektor-Basis-Durchbruchspannung

BVCBO

55

---

---

V

IC=0,1mA

Emitter-Kollektor-Dämpfungsspannung

BVECO

7

---

---

V

IE=0,1 mA

TransformingCharacteristic s

Aktuelles Übertragungsverhältnis

4N32,4N33

CTR

500

---

---

%

IF=10mA VCE=10V

4N29,4N30

100

---

---

4N31

50

---

---

TIL113

300

---

---

IF=10mAVCE=1V

Kollektor- und Emitter-Sättigungsspannung

4N29, 4N30, 4N32,4N33

VCE(Sa)

---

---

1,0

V

IF=8mA IC=2mA

4N31,TIL113

---

---

1,2

IF=8mA, IC=2mA

Isolationswiderstand

Riso

1011

---

---

Ω

DC500V 40~60% R.H.

Eingangs-Ausgangskapazität

CIO

---

0,8

---

pF

VIO=0, f=1MHz

Reaktionszeit

tr

---

3

10

μs

VCC=10V, IC=10mARL=100Ω

Abstiegszeit

tf

---

6

10

μs

  • Aktuelles Umwandlungsverhältnis = IC / IF × 100 %

 

Bestellinformationen

Teilenummer

OR-4NXXY-Z-W

oder OR-TIL113Y-Z-W

Hinweis

4NXX = Teilenummer. (4N29,4N3 0,4N31,4N32 oder 4N33)

TIL113= Teilenummer

Y = Anschlussformoption (S, M oder Keine)

Z = Band- und Spulenoption (TA, TA1 oder keine).

W= „V“-Code für VDE-Sicherheit (Diese Option ist nicht erforderlich).

*VDE-Code wählbar.

Option

Beschreibung

Verpackungsmenge

Keine

Standard DIP-6

66 Einheiten pro Tube

M

Breiter Anschlussbogen (0,4 Zoll Abstand)

66 Einheiten pro Tube

S(TA)

SMD-Leitungsform (niedriges Profil) + TA-Band- und Rollenoption

1000 Einheiten pro Rolle

S(TA1)

SMD-Leitungsform (niedriges Profil) + TA1-Band- und Rollenoption

1000 Einheiten pro Rolle

 

GaAIAs/GaAs 940 IrED-Chip

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