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Verbrauchstauglicher Fototransistor-Optokoppler OR-3H7-EN-V13
Verbrauchstauglicher Fototransistor-Optokoppler OR-3H7-4-EN-V3
Verbrauchstauglicher Fototransistor-Optokoppler OR-3H4-EN-V12
Verbrauchstauglicher Fototransistor-Optokoppler OR-3H4-4-EN-V3
Verbrauchstauglicher Fototransistor-Optokoppler ORPC-817-S-(SJ)
Verbrauchstauglicher Fototransistor-Optokoppler ORPC-817-S-(SJ)-EN-V0Die Geräteserien TIL113 und 4NXX bestehen jeweils aus einer Infrarot-emittierenden Diode, die optisch an einen Darlington-Detektor gekoppelt ist. Sie sind in einem 6-poligen DIP-Gehäuse untergebracht und mit großem Anschlussabstand und als SMD-Option erhältlich.
Merkmale
(1) 4NXX Serie: 4N29, 4N30, 4N31, 4N32, 4N33 36558} TIL113 Serie : TIL113.
(2) Hohe Isolation Spannung zwischen Eingang und Ausgang (Viso=5000 V rms)
(3) Kriechstrecke Abstand >7,62 mm
(4) Betriebstemperatur bis auf +115°C
(5) Kompaktes Dual-in-Line- Paket
(6) Sicherheit Genehmigung
UL-zugelassen (Nr. E323844)
VDE-geprüft (Nr. 40029733)
CQC genehmigt (Nr. CQC19001231480 )
(7) In Übereinstimmung mit RoHS, REACH -Standards.
(8) MSL Klasse Ⅰ
Anleitung
Die Geräteserien TIL113 und 4NXX bestehen jeweils aus einer Infrarot-emittierenden Diode, die optisch an einen Darlington-Detektor gekoppelt ist. Sie sind in verpackt ein 6-poliges DIP-Gehäuse und mit großem Anschlussabstand und SMD-Option erhältlich.
Anwendungsbereich
Logikschaltungen mit geringem Stromverbrauch
Telekommunikationsausrüstung
Tragbare Elektronik
Schnittstellenkopplungssysteme unterschiedlicher Potentiale und Impedanzen
Maximaler absoluter Nennwert (Normaltemperatur=25℃)
|
Parameter |
Symbol |
Nennwert |
Einheit |
|
|
Eingabe |
Vorwärtsstrom |
WENN |
60 |
mA |
|
Sperrschichttemperatur |
TJ |
125 |
℃ |
|
|
Sperrspannung |
VR |
6 |
V |
|
|
Verlustleistung (TA = 25 °C) Derating-Faktor (über 100 °C) |
PD |
120 |
mW |
|
|
3,8 |
mW/°C |
|||
|
Ausgabe |
Kollektor-Emitter-Spannung |
VCEO |
80 |
V |
|
Kollektor-Basis-Spannung |
VCBO |
80 |
||
|
Emitter-Kollektor-Spannung |
VECO |
7 |
||
|
Emitter-Basis-Spannung |
VEBO |
7 |
||
|
Verlustleistung (T A = 25 °C) Derating-Faktor (über 100 °C) |
PC |
150 |
mW |
|
|
6,5 |
mW/°C |
|||
|
Gesamtleistungsverbrauch |
Ptot |
200 |
mW |
|
|
*1 Isolationsspannung |
Viso |
5000 |
Vrms |
|
|
Arbeitstemperatur |
Topr |
-55 bis + 115 |
℃ |
|
|
Lagerstättentemperatur |
TSTG |
-55 bis + 150 |
||
|
*2 Löttemperatur |
TSOL |
260 |
||
*1. AC-Test, 1 Minute, Luftfeuchtigkeit = 40–60 % Isolationstestmethode wie folgt:
Schließen Sie beide Anschlüsse des Optokopplers kurz.
Strom beim Prüfen der Isolationsspannung.
Hinzufügen einer Sinuswellenspannung beim Testen
*2. Die Lötzeit beträgt 10 Sekunden.
Optoelektronische Eigenschaften
|
Parameter |
Symbol |
Min. |
Typ.* |
Max. |
Einheit |
Zustand |
||
|
Eingabe |
Durchlassspannung |
VF |
--- |
1,2 |
1,5 |
V |
WENN=10mA |
|
|
Rückstrom |
IR |
--- |
--- |
10 |
μA |
VR=6V |
||
|
Kollektorkapazität |
Cin |
--- |
50 |
--- |
pF |
V=0, f=1MHz |
||
|
Ausgabe |
Kollektorbasis-Dunkelstrom |
ICBO |
--- |
--- |
20 |
k. A. |
VCB=10V |
|
|
Kollektor-Emitter-Strom |
ICEO |
--- |
--- |
100 |
n. A. |
VCE=10V, IF=0mA |
||
|
Kollektor-Emitter-Dämpfungsspannung |
BVCEO |
55 |
--- |
--- |
V |
IC=1mA |
||
|
Kollektor-Basis-Durchbruchspannung |
BVCBO |
55 |
--- |
--- |
V |
IC=0,1mA |
||
|
Emitter-Kollektor-Dämpfungsspannung |
BVECO |
7 |
--- |
--- |
V |
IE=0,1 mA |
||
|
TransformingCharacteristic s |
Aktuelles Übertragungsverhältnis |
4N32,4N33 |
CTR |
500 |
--- |
--- |
% |
IF=10mA VCE=10V |
|
4N29,4N30 |
100 |
--- |
--- |
|||||
|
4N31 |
50 |
--- |
--- |
|||||
|
TIL113 |
300 |
--- |
--- |
IF=10mAVCE=1V |
||||
|
Kollektor- und Emitter-Sättigungsspannung |
4N29, 4N30, 4N32,4N33 |
VCE(Sa) |
--- |
--- |
1,0 |
V |
IF=8mA IC=2mA |
|
|
4N31,TIL113 |
--- |
--- |
1,2 |
IF=8mA, IC=2mA |
||||
|
Isolationswiderstand |
Riso |
1011 |
--- |
--- |
Ω |
DC500V 40~60% R.H. |
||
|
Eingangs-Ausgangskapazität |
CIO |
--- |
0,8 |
--- |
pF |
VIO=0, f=1MHz |
||
|
Reaktionszeit |
tr |
--- |
3 |
10 |
μs |
VCC=10V, IC=10mARL=100Ω |
||
|
Abstiegszeit |
tf |
--- |
6 |
10 |
μs |
|||
Aktuelles Umwandlungsverhältnis = IC / IF × 100 %
Bestellinformationen
Teilenummer
OR-4NXXY-Z-W
oder OR-TIL113Y-Z-W
Hinweis
4NXX = Teilenummer. (4N29,4N3 0,4N31,4N32 oder 4N33)
TIL113= Teilenummer
Y = Anschlussformoption (S, M oder Keine)
Z = Band- und Spulenoption (TA, TA1 oder keine).
W= „V“-Code für VDE-Sicherheit (Diese Option ist nicht erforderlich).
*VDE-Code wählbar.
|
Option |
Beschreibung |
Verpackungsmenge |
|
Keine |
Standard DIP-6 |
66 Einheiten pro Tube |
|
M |
Breiter Anschlussbogen (0,4 Zoll Abstand) |
66 Einheiten pro Tube |
|
S(TA) |
SMD-Leitungsform (niedriges Profil) + TA-Band- und Rollenoption |
1000 Einheiten pro Rolle |
|
S(TA1) |
SMD-Leitungsform (niedriges Profil) + TA1-Band- und Rollenoption |
1000 Einheiten pro Rolle |